(重庆中科渝芯电子有限公司重庆401332) 摘要:三氯氧磷预淀积是半导体制造过程中常用的掺杂工 艺,使用的掺杂源是三氯氧磷液态源,它在工艺过程中分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面,P2O5 与硅反应生成SiO2 和磷原子,并在 硅片表面形成一层磷-硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。 本文介绍了SLC99 控制系统的氢氧合成炉管改造成POCL3 液态 氧掺杂炉管的具体步骤及方法。 关键词:POCL3;掺杂;改造 引言 掺杂工艺就是将可控数量的所需杂质掺入硅片中的特定区 域内,从而改变半导体的电学性能,利用掺杂工艺,可以制作PN 结、晶体管的源漏区、电阻、欧姆接触等,这些是制造大规模集成 电路的基础。扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要工艺。 两者都被用来制作分离器件与集成电路,互补不足,相得益彰。 扩散是较早时期采用的参杂工艺,并沿用至今,离子注入是20 世 纪60 年代发展起来的在很多方面都优于扩散的掺杂工艺。扩散 的优点在于设备简单,工艺简单,操作方便,成本低。由于生产线 上POCL3 液态源掺杂设备产量不能满足生产的需求,故对较为 空闲的氢氧合成炉管进行了改造,使其满足POCL3 液态源掺杂 工艺,以解决该工序产量不足的问题。 一、系统配置 1.原氢氧合成氧化工艺炉管配置 原氢氧合成氧化工艺炉管配置有四种气体六路管道。四种 气体包括有:氮气、氧气、氢气以及氯化氢气体;六路管道包括有: 针阀调节的氮气一路、20SLM 的氮气一路、20SLM 的氢气一路、 20LSM 的氧气一路、2SLM 的氧气一路以及500SCCM 的氯化氢 一路,其气路图如图一所示。由于原炉管做氢氧合成工艺故该炉 管还包括有外点火系统以及氢氧合成工艺时需要的多种保护措 施。 图1氧化工艺气路图 2.新POCL3 工艺炉管配置 POCL3 工艺配置需要三种气体六路管道。三种气体包括 有:氮气、氧气以及氯化氢气体;六路管道包括有:针阀调节的氮 气一路、20SLM 的氮气一路、2SLM 氮气一路、20LSM 的氧气一 路、2SLM 的氧气一路以及500SCCM 的氯化氢一路。由于新系 统要做POCL3 液态源掺杂工艺故该新系统还包括源瓶温度控制 系统。 二、系统机械结构改造 1.部件拆除 拆除系统中不需要的部件:主要包括20SLM 的氢气质量流 量计和外点火系统。在拆除氢气质量流量计后要用堵头把氢气 管道出气口堵了,防止有人误开氢气阀从而引起氢气泄漏事故。 2.气路改造 从20SLM 的氮气管道进口,通过加装一个三通阀分一路氮 气用作POCL3 液态源的携带气体源。由于设备所用POCL3 液 态源瓶为石英件,其可长期忍耐的压力为15PSI 左右,而设备总 氮气压力一般调节在25PSI 左右,故在POCL3 液态源的携带氮 气管路加装一调压阀,控制其输出压力5~7PSI。 在原氢气MFC 处配置一个2SLM 的氮气MFC,其进气端与 经过调压的POCL3 液态源携带N2 相连,出气端经过一常闭气动 阀V3 与POCL3 液态源瓶的进气端相连。考虑到POCL3 的腐蚀 性,防止由于意外情况POCL3 倒灌而引起其携带N2 的管路、阀 门以及MFC 的损坏,故在POCL3 液态源的进气端加一聚四氟乙 烯单向阀门CV3。该携带氮气MFC 的控制线路用原氢气MFC 的控制线路。 为了保证工艺的稳定性和重复性需要确保POCL3 液态源的 温度受控,不能受环境的温度变化而影响。选用UHL 系列源瓶 恒温冷阱UHL-2型,控温精度±0.5℃,对源瓶温度进行控制。 在液态源瓶出气口与石英管进气连接管道间接一常闭、常开 组合聚四氟乙烯阀门V9,常闭阀门接于石英管进气管路,常开阀 门接于源瓶VENT 管道。由于POCL3 液态源要吸潮,故在 VENT 管路接一路常通的吹扫N2,用针阀控制流量,并且在源瓶 出气口和阀组间接一个聚四氟乙烯单向阀门CV4,防止气体倒压 进源瓶。V9 阀的控制气体与POCL3 液态源携带气体的V3 阀的 控制气体并接。改造后的气路如图2所示。 图2 POCL3工艺气路图 三、系统软件及电气线路改造 系统软件及电气线路改造主要是对控制系统的配置进行新 的设置并屏蔽掉原氢氧合成工艺中的互锁。 1.系统配置的更改 在系统软件根目录下点开Configuration setting 文件 T88KZ3.int:把其中Gas_3 的Name=H2 Rang=20 Units= 改 为Name=POCL3 Rang=2000 Units=sccm,如图3所示。 改完后保存并关闭该文件,然后进入系统控制软件Process Mandger 页面点击Send New Config.命令,配置文件更改完 成。 2.系统电气线路的改造 系统电气线路的改造主要包括下面几个方面:一、屏蔽掉 LO O2 ALARM 的互锁;二、屏蔽外点火UNDER TEMP ALARM 的互锁;三、屏蔽氢氧比例互锁;四、屏蔽外点火NO TORCH 的互锁。 产生LO O2 ALARM 信号的电路如图4 所示,氧气流量传 感器采集的电信号加于比较器LM339 的反相端U3-6,在其正向 端U3-7 加一比较电压。当U3-6 的电压低于U3-7 的电压时比 较器输出管截止,则Q1 三极管导通,继电器K2 动作,触发LO O2 ALARM 信号。为了屏蔽该信号则断开J7-3即可。 产生UNDER TEMP ALARM 信号的电路原理与产生LO O2 ALARM 信号的电路原理类似,屏蔽该信号则在气体控制板 上断开J7-5 即可。 在气体控制板中氢氧比例互锁电路如图5 所示。屏蔽该信 号则需断开跳线J34 1-2,短接跳线J28 1-2 该系统采用的火焰探测器为LFE10,屏蔽NO TORCH 信号 即需要火焰探测器一直检测到火焰的存在,则短接LFE10 控制器 的3脚和7 脚即可。 结论 氢氧合成炉管经过改造后,完全满足了POCL3 液态源掺杂 工艺。经过一年多的运行,设备平稳定可靠。 参考文献: 【1】SLC99 Maintenance Manual,E. Romero,ICCI,Inc And JGA ,Inc. 作者简介:李志成(1976—),男,四川达县人,大学本科学 士,工程师,主要从事半导体氧化扩散设备维护维修。 |